SPM湿法去胶（Spin Wet De-taping）是一种在半导体制造过程中常用的清洗技术，主要用于去除晶圆表面的光刻胶。其机理主要基于物理和化学作用的结合，以下是详细的解析：

物理作用

机械力：通过刷子、磨头等部件对晶圆表面进行物理刮除，借助机械力将光刻胶从晶圆表面剥离

流体动力学：通过喷射或浸泡的方式，将去胶液输送到晶圆表面，帮助溶解和软化光刻胶，使其更容易被去除

化学作用

化学反应：去胶液中含有特定的化学成分，这些成分能与光刻胶发生化学反应，将其分解或软化。例如，硫酸和双氧水混合液作为氧化剂，可以将光刻胶中的碳元素氧化成二氧化碳，同时羟基自由基也能攻击光刻胶的聚合物链，使其断裂成小分子物质并溶于溶液中

溶解作用：化学反应后的产物以及未反应的光刻胶，会被去胶液溶解，从而彻底去除晶圆表面的光刻胶

SPM湿法去胶是一个复杂而精细的过程，涉及多种物理和化学作用。这些步骤共同确保了晶圆表面光刻胶的有效去除，为后续的半导体制造工艺提供了清洁、平整的表面基础。

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